氮化硼在電子元器件中應用廣泛，主要利用其高熱導率、高電絕緣性、高介電性能及高溫穩定性，具體應用場景及優勢如下：
　　一、高溫電子封裝與散熱
　　封裝材料
　　氮化硼作為陶瓷基板、芯片載體、散熱器的封裝材料，憑借其高熱導率和電絕緣性，可在高溫環境下穩定工作，顯著提升電子器件的可靠性和穩定性。例如，在5G射頻芯片、毫米波天線等高功率場景中，氮化硼散熱膜通過透電磁波、高導熱、高絕緣等特性，有效解決超薄空間的散熱問題。
　　散熱材料
　　在高功率密度電力電子器件中，氮化硼作為散熱材料，通過高導熱性和熱穩定性，將熱量高 效傳遞並散發，延長器件壽命。其導熱係數可達60W/(m·K)，熱擴散係數30mm²/s，電擊穿強度40kV/mm，性能優於傳統石墨膜和相變材料。
　　熱界麵材料（TIM）
　　氮化硼納米管（BNNT）作為高導熱填料，添加至熱界麵材料中可提升導熱性能10%-20%，成本僅增加1%-2%。其超 高導熱係數（2400W/m·K）是銅的6倍、鑽石的3倍，且電絕緣性優異（電阻率>10⁸Ω·cm），適用於高密度集成電路散熱。
　　二、高頻電子元件
　　微波介質陶瓷
　　氮化硼的優異介電性能和高溫穩定性，使其成為製造高頻微波器件（如濾波器、諧振器、天線）的理想材料，廣泛應用於通信、雷達、導航等領域。其低介電常數（4.5，1MHz-28GHz）和低介電損耗特性，可提升器件性能。
　　射頻與微波器件
　　氮化硼陶瓷作為介質材料或基板，用於射頻濾波器、天線、微波集成電路等器件，顯著提高信號傳輸效率。例如，氮化硼基微波振蕩器、射頻放大器等器件，依托其熱電性能優異（熱電係數和電阻率穩定性高），實現高精度溫度測量。
　　三、半導體製造
　　保護層與刻蝕劑
　　氮化硼在半導體器件製造中作為保護層，防止器件受損傷或汙染；同時作為刻蝕劑和薄膜沉積原料，提升製造精度。例如，超低k非晶氮化硼（a-BN）因高密度、低漏電流密度、高擊穿場強等特性，成為先進微電子器件的絕緣介電材料。
　　電子束蒸發源材料
　　氮化硼用於製備各種薄膜材料，如氮化硼基半導體材料（納米線、量子點等），為半導體技術發展提供新可能。其原子級薄的性質和較大帶隙，使其成為二維材料器件的帽層、絕緣襯底和柵*電介質。
　　四、絕緣與防護
　　高壓電氣絕緣
　　氮化硼的高電絕緣性和化學穩定性，使其成為高壓電容器、絕緣子、電線電纜等產品的理想材料，顯著提升設備電氣性能和安全性。例如，在高壓電纜、變壓器中，氮化硼陶瓷可耐受*端電氣條件。
　　熱防護塗層
　　氮化硼作為火箭發動機燃燒室和噴嘴的塗層材料，憑借其高溫穩定性和抗氧化性，提升耐熱性和抗燒蝕性，延長發動機壽命。在衛星太陽能電池板中，氮化硼塗層提供抗輻射保護，增強穩定性。
　　五、新能源領域
　　鋰電池隔膜改性
　　氮化硼用於鋰電池隔膜改性，通過其熱穩定性、電絕緣性和導熱性，防止高溫下內部短路，減少熱失控風險。例如，氮化硼納米管（BNNT）塗覆的聚丙烯隔膜，可提升導熱係數，控製鋰枝晶形成，延長循環壽命。
　　導熱複合材料
　　氮化硼作為填料，解決熱導材料與電氣部件接觸時的高電阻率需求，避免短路問題。其與碳化矽、氧化鋁等導熱填料組合，可構建三維導熱網絡，提升複合材料導熱性能。
　　六、納米電子學
　　納米器件製造
　　氮化硼的納米尺度加工性能和穩定物理化學性質，使其成為製造納米電子器件的關鍵材料。例如，作為場效應晶體管的通道材料、納米集成電路的互連線材料，可提升器件性能和可靠性。
　　二維材料集成
　　六方氮化硼（h-BN）因類石墨烯結構，在平行方向上具有很高熱導率，適用於電子設備散熱；球形六方氮化硼則通過高填充量提升垂直方向散熱效率，滿足電池散熱等需求。